诺伊斯:【切~】
杰克·基尔比的发言刚结束,诺伊斯就发出嘘声。
江维:“切什么切,到你了,有什么把式就亮一亮。”
诺伊斯:【一个锗晶片上就一个晶体管,也好意思说自己是集成电路。就让哥跟你讲讲,什么才是真正的集成电路。】
杰克·基尔比:【老子是1923年生的,你是1927年才蹦出来的,谁是大哥数学不及格么!就算不比年纪,比个头,老子也是大个!】
诺伊斯:【两米高了不起啊,你那么能打NBA去啊!】
江维:“风度,风度!”
诺伊斯:【哼!让我来给你们介绍一下,什么才是真正的集成电路工艺技术吧。
当时,晶体管都是台面工艺,也就是你们理解的3D。但这种“造型”会有问题,最早是军方提出异议的。
军方洲际导弹发射时会产生巨大的震动,这个动静会使得晶体管上的一些金属粉尘颗粒脱落,导致晶体管暴露的接头处出现短路的问题。
所以我们仙童半导体开始想办法着手解决这个问题。
要解决这个问题我给大家进行了分工,一是由赫尔尼和摩尔负责研究新的扩散工艺。二是由我和拉斯特一起攻坚平面照相技术。
核心的目的,就是将晶体管从以前的“台面”造型变成“平面”造型。
当然,这里还要感谢贝尔实验室前期的技术铺垫。
他们有两项发明,是实现半导体平面工艺的基础。】
此时,消息验证的声音又响了。绝壁是系统管理员的“知识图谱”安排!
好吧,江维直接把人放了进来。
卡尔·弗洛士:【嘿嘿,大家好。】
诺伊斯:【哟,二氧化硅薄膜制备的发明人来了。既然您来了,那就由您介绍这项为半导体平面工艺奠基的重要技术吧。】
卡尔·弗洛士:【好的呀!1955年,我正在搞研究,钻研如何解决硅表面在高温杂质扩散时裂开的问题。
然后,一不小心将氢气加入了扩散中,扩散炉中一下子就产生了水蒸气,迅速在硅晶体表面产生了一层二氧化硅。
结果,你猜怎么着。没想到啊没想到,这层二氧化硅竟然是一层很好的杂质扩散阻挡层!】
观众大喇叭牛哄哄:“又是不小心!切克老司机不小心发现了直拉法,这哥们又不小心发现二氧化硅的阻挡层作用。
这就是机缘砸在脸上吧!我的天,请不用疼惜我,也给我来个不小心吧。”
观众太空漫步者:“哪有那么容易,虽然是他们都是不小心造成了某种现象,但后续会对这种现象展开进一步的研究,才会诞生最终的学术成果。
你不小心,真的就只是不小心脸被砸扁了而已。”
卡尔·弗洛士:【后来,我和我的技术研究员林肯·德里克立刻进行进一步研究。
用氢氟酸在二氧化硅上腐蚀出一些小区域露出部分硅,从这些“开口”进行杂质扩散。
采用这种方法,能将杂质扩散到硅晶片上的指定区域。由此,为在同一种材质上制作出各种电路打下了基础。】
张汝京:【对,二氧化硅很快就成为晶体管生产和平面处理技术中重要的物质。它不但可以用作半导体PN结之间的绝缘物质,同时还能保护硅晶体不受金属污染。
在后来的芯片工艺中,二氧化硅被广泛应用在封装和绝缘工艺中。】
诺伊斯:【卡尔·弗洛士他们的这种全新扩散技术,使得杂质只能从“开口”处扩散到硅晶片上。而覆盖二氧化硅氧化膜的地方被保护了起来。
这种技术,让光刻技术呼之欲出。
同年,贝尔实验室的朱尔斯·安德鲁斯和沃尔特·邦德将制造印刷电路的光刻技术用于硅片加工。
他们在二氧化硅的氧化膜上均匀的涂抹一层“光致抗蚀剂”,也就是我们现在所说的光刻胶。
然后通过光学曝光,将电路图“复印”在这一图层上,形成精准的“开口”区。
之后,在用化学方式将图案进行腐蚀,制作出“开口”,最后将杂质从“开口”扩散到下面的硅晶片上,形成半导体所需要的PN结。
贝尔实验室的这两项技术,就是半导体平面工艺的基础。】
观众大喇叭牛哄哄:“咦,这不就像以前用胶卷拍照,再冲洗的过程么?只不过多了一个腐蚀过程,将图形在硅晶片上腐蚀出来。”
观众长鼻长在腰上:“对哦,难怪诺伊斯说他和拉斯特研究平面照相技术,莫不就是这个原理?”
观众太空漫步者:“对啊,早年的光刻机跟照相机差不多的。尼康是做什么的?”
观众长鼻长在腰上:“照相机啊。”
观众太空漫步者:“佳能是做什么的?”
观众长鼻长在腰上:“还是照相机啊。”
观众太空漫步者:“这两个,是光刻机的老二和老三,你品,你仔细品。”
观众暗中观察:“可惜现在的老二和老三没落了哦,光刻机已经被阿斯麦吊打了。”
杰克·基尔比:【呵呵,1957年美国空军的两位工程师莱斯罗普和詹姆斯·纳尔在贝尔实验室研究成果的基础上进一步推进了光刻技术。
制成了小型化的晶体管和陶瓷的混合电路,并创造了“光刻”(Photolithography)一词。
他们两首先获得了用金属连接陶瓷上的微型电路专... -->>
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